[发明专利]一种ZnO-Ga2

摘要

本发明公开了一种ZnO‑Ga2O3核壳纳米线的制备方法，该核壳纳米线是由ZnO核层和Ga2O3壳层构成，制备步骤如下：1)将ZnO粉末和碳粉末混合研磨，填入容器内并置于一端开口的石英管的封闭端，将清洗干净的生长基底放置于石英管管口位置处；然后将该石英管置于管式炉中，封闭管式炉后抽真空并通入氩气和氧气，反应结束后在生长基底上生长有ZnO纳米线阵列；2)将步骤1)得到ZnO纳米线阵列放入磁控溅射仪中，在ZnO纳米线表面溅射一层Ga2O3鞘层薄膜，得到ZnO‑Ga2O3核壳纳米线；本发明通过简单的气相传输法和磁控溅射方法，在ZnO纳米线上生长不同厚度、尺寸均一、分布均匀的Ga2O3壳层薄膜。

主权项

1.一种ZnO‑Ga2O3核壳纳米线的制备方法，其特征在于：该核壳结构的纳米线是由ZnO核层和Ga2O3壳层构成，制备步骤如下：1)ZnO纳米线阵列的制备：将ZnO粉末和碳粉末混合研磨直至无颗粒感后填入容器内，之后将该容器置于一端开口的石英管的封闭端，之后将清洗干净的生长基底放置于石英管内部的管口位置处；然后将该石英管置于管式炉中，封闭管式炉后抽真空，并通入氩气和氧气，反应结束后在生长基底上生长有ZnO纳米线阵列；2)ZnO‑Ga2O3核壳纳米线的制备：将步骤1)得到ZnO纳米线阵列放入磁控溅射仪中，在ZnO纳米线表面溅射一层Ga2O3鞘层薄膜，得到ZnO‑Ga2O3核壳纳米线。