[发明专利]一种铋钾双掺铝酸钇新型近红外激光晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201810057892.7 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108265330B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张沛雄;黄杏彬;尹浩;朱思祁;李真 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | C30B29/24 | 分类号： | C30B29/24;C30B15/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铋钾双掺铝酸钇新型近红外激光晶体及其制备方法，属于近红外激光增益材料领域，其中，铋钾双掺的铝酸钇晶体中同时掺入铋离子和钾离子，其中铋离子的掺入量为0.1～15at.％，钾离子的参入量为0.1～15at.％。本发明铋钾双掺晶体，铋离子作为激活离子，而钾离子作为优化离子，可以提供局部电荷的补偿作用，铋钾双掺时易变价的Bi | ||
| 搜索关键词： | 铋离子 双掺 铋钾 近红外激光 钾离子 铝酸钇 制备 近红外发光 补偿作用 分凝系数 激光晶体 激光效率 激活离子 局部电荷 增益材料 参入量 掺入量 低价态 掺入 荧光 离子 激光 输出 通信 医疗 军事 科研 应用 优化 | ||
【主权项】：
1.一种铋钾双掺铝酸钇新型近红外激光晶体，其特征在于，所述的近红外激光晶体包括晶体基质、铋离子和钾离子，所述的晶体基质为铝酸钇晶体，所述的铋离子作为激活离子和所述的钾离子作为优化离子同时掺入所述的铝酸钇晶体中；所述的铋离子的掺杂浓度范围为0.1～15at.％，所述的钾离子的掺杂浓度范围为0.1～15at.％。/n
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