[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，通过在由金属氧化物半导体材料制备的有源层中掺入氧离子与氢离子，调控有源层的阈值电压。在制备薄膜晶体管时，各子刻蚀阻挡层是采用等离子体增强化学气相沉积工艺分步沉积得到的，以在沉积各子刻蚀阻挡层时选择性的使金属氧化物半导体材料掺入氧离子和氢离子，从而调控金属氧化物半导体材料中掺入氧离子的量和掺入氢离子的量。这样可以在不增加额外的掺杂工艺的情况下，使金属氧化物半导体材料掺入氧离子和氢离子，从而可以降低工艺制备难度，降低制备成本。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的有源层、覆盖所述有源层的刻蚀阻挡层、通过贯穿所述刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接的源漏极；其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括层叠设置的至少两层子刻蚀阻挡层，所述有源层包括掺入氧离子和氢离子的金属氧化物半导体材料。