[发明专利]一次外延生长双波长半导体激光器在审
| 申请号： | 201810058294.1 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108155561A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王海珠;侯春鸽;范杰;邹永刚;马晓辉;李洋;赵鑫;张贺;王小龙 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/04;H01S5/187;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一次外延生长双波长半导体激光器，其包括泵浦光垂直腔、被激发垂直腔及GaAs衬底。泵浦垂直腔同时产生上下方向出光功率可调的激光，上方向出射的激光作为泵浦光进入被激发垂直腔中，光泵浦被激发垂直腔激光器的激射，从而实现了集成垂直腔双波长激射，使得双波长激光从集成垂直腔的上下两个方向出射，所述集泵浦光垂直腔、被激发垂直腔为一次外延生长形成。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直腔 一次外延 泵浦光 双波长半导体激光器 激发 出射 生长 激光 垂直腔激光器 双波长激光 出光功率 上下方向 光泵浦 可调的 双波长 泵浦 衬底 | ||
【主权项】：
一次外延生长双波长半导体激光器，其特征为：包括泵浦光垂直腔、被激发垂直腔及GaAs衬底，泵浦垂直腔同时产生上下方向出光功率可调的激光，上方向出射的激光作为泵浦光进入被激发垂直腔中，光泵浦被激发垂直腔的激射，从而实现了集成垂直腔双波长激射，使得双波长激光从集成垂直腔的上下两个方向出射，所述集泵浦光垂直腔、被激发垂直腔均在GaAs衬底上通过一次外延生长完成。
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