[发明专利]一种高通量筛选用Cr-Fe-V-Ta-W系高熵合金薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201810058761.0 | 申请日: | 2018-01-22 |
公开(公告)号: | CN108359948B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 张勇;邢秋玮;张蔚冉 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/14;C22C30/00;C22C45/00 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供一种高通量筛选用Cr‑Fe‑V‑Ta‑W系高熵合金薄膜及其制备方法,属于高熵合金领域。本发明提供的高通量筛选用Cr‑Fe‑V‑Ta‑W系高熵合金薄膜,成分表达式为:(Cr |
||
搜索关键词: | 一种 通量 筛选 cr fe ta 系高熵 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高通量筛选用Cr‑Fe‑V‑Ta‑W系高熵合金薄膜,其特征在于高熵合金的成分表达式为:(CraFebVc)100‑x(TadWe)x,6
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学,未经北京科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810058761.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类