[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810059232.2 申请日: 2018-01-22
公开(公告)号: CN108447794A 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 武直矢 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/49
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 苏卉;高培培
地址: 日本爱知*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置及其制造方法,可抑制半导体基板的损伤并抑制接合后的铜线的前端的直径增大。该半导体装置的制造方法具有将含有铜的引线接合于设置在半导体基板的表面上的电极焊盘的工序。上述电极焊盘在其表层部具有比上述引线硬的硬质金属层。在上述硬质金属层的表面设有凹部。接合前的上述引线具有线状部和球状部,上述球状部配置在上述线状部的前端且上述球状部的直径大于上述线状部的直径。在进行接合的上述工序中,将上述球状部接合于上述凹部内。
搜索关键词: 接合 球状部 半导体装置 线状部 半导体基板 硬质金属层 电极焊盘 凹部 制造 引线接合 直径增大 铜线 损伤 配置
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,具有将含有铜的引线接合于设置在半导体基板的表面上的电极焊盘的工序,所述电极焊盘在其表层部具有比所述引线硬的硬质金属层,在所述硬质金属层的表面设有凹部,接合前的所述引线具有线状部和球状部,所述球状部配置在所述线状部的前端且所述球状部的直径大于所述线状部的直径,在进行接合的所述工序中,将所述球状部接合于所述凹部内。
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