[发明专利]一种具有多级沟槽的碳化硅SBD器件元胞结构

摘要

本发明公开了一种具有多级沟槽的碳化硅SBD器件元胞结构，所述元胞结构的N‑外延层中刻蚀有若干从上到下宽度依次递减的多级深沟槽；所述多级深沟槽的底部及侧壁通过一定角度的P‑Plus注入形成一圈P‑Plus结构，然后在多级深沟槽中填入绝缘介质、多晶硅或金属，当填充物为所述多晶硅或金属时，多晶硅或金属与肖特基区的肖特基接触金属相连。本申请通过在碳化硅SBD器件元胞中设置从上到下宽度依次递减的多级深沟槽结构和与其相连P Plus结构，构造出一种新颖的沟槽式SBD器件，能避免器件设计时单一宽度的沟槽结构导致的器件正向导通阻抗与肖特基区耐压及表面电场可靠性之间的矛盾，进一步增强SBD器件的耐压能力的同时保持较低的正向导通阻抗。

主权项

1.一种具有多级沟槽的碳化硅SBD器件元胞结构，其特征在于，所述元胞结构的N-外延层中刻蚀有若干从上到下宽度依次递减的多级深沟槽；所述多级深沟槽的底部及侧壁通过一定角度的P-Plus注入形成一圈P-Plus结构，然后在多级深沟槽中填入绝缘介质、多晶硅或金属，当填充物为所述多晶硅或金属时，多晶硅或金属与肖特基区的肖特基接触金属相连。