[发明专利]一种集成了周边RCsnubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构在审

专利信息
申请号: 201810059254.9 申请日: 2018-01-22
公开(公告)号: CN108133966A 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 袁俊;黄兴;倪炜江;徐妙玲;张敬伟;牛喜平;李明山;窦娟娟;陈欣璐;吕枞;耿伟 申请(专利权)人: 北京世纪金光半导体有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/40
代理公司: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 代理人: 张宇锋
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构,所述元胞结构的JTE区外围和划片道之间设置了多个深沟槽结构,所述深沟槽结构内依次填充高介电常数介质和多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金属,并从所述多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金属上用金属引出RC电极。器件工作时,RC电极可以直接和SBD阳极相连,也可以单独引出匹配其他离散元件。本申请通过在碳化硅SBD器件元胞中集成RC snubber结构,能在一个紧凑的封装中直接吸收SBD开关过程中的高频电压尖峰,增强SBD器件的耐压能力和抗干扰能力,增强器件可靠性,减少电路设计中需要匹配的snubber元件。
搜索关键词: 碳化硅SBD 器件元胞 深沟槽结构 孔洞填充 多晶硅 致密性 电极 金属 匹配 高介电常数介质 抗干扰能力 器件可靠性 尖峰 阳极 电路设计 高频电压 开关过程 离散元件 耐压能力 元胞结构 划片道 填充 封装 紧凑 外围 吸收 申请
【主权项】:
一种集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构,其特征在于,所述元胞结构的JTE区外围和划片道之间设置了多个深沟槽结构,所述深沟槽结构内依次填充高介电常数介质和多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金属,并从所述多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金属上用金属引出RC电极。
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