[发明专利]一种SiC MOSFET的栅极串扰抑制电路及驱动电路在审
| 申请号： | 201810059420.5 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108233684A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 卞月娟;黄志平;黄辉;张小辉 | 申请（专利权）人： | 深圳青铜剑科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088;H02M1/38 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 徐罗艳 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOSFET的栅极串扰抑制电路及其驱动电路，所述栅极串扰抑制电路用于基于SiC MOSFET的桥式变换器中，连接于所述SiC MOSFET的栅极、源极以及所述SiC MOSFET驱动电路之间，并且包括基于三极管的负电压纹波抑制电路和基于MOS管的防直通电路；所述负电压纹波抑制电路用于抑制所述SiC MOSFET的栅极和源极之间的负电压，所述防直通电路用于防止所述桥式变换器的桥臂之间相互直通。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制电路 负电压 串扰 纹波抑制电路 防直通电路 桥式变换器 驱动电路 源极 三极管 桥臂 | ||
【主权项】：
1.一种SiC MOSFET的栅极串扰抑制电路，用于基于SiC MOSFET的桥式变换器中，其特征在于：连接于所述SiC MOSFET的栅极、源极以及所述SiC MOSFET的驱动单元之间，包括基于三极管的负电压纹波抑制电路和基于MOS管的防直通电路；所述负电压纹波抑制电路用于抑制所述SiC MOSFET的栅极和源极之间的负电压，所述防直通电路用于防止所述桥式变换器的桥臂之间相互直通。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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