[发明专利]一种量子点及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810059425.8 申请日: 2018-01-22
公开(公告)号: CN110066652A 公开(公告)日: 2019-07-30
发明(设计)人: 陈开敏;杨一行 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: C09K11/62 分类号: C09K11/62;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种量子点及其制备方法,方法包括步骤:提供In2S3量子点溶液;向所述In2S3量子点溶液中加入Cu的前驱体,使所述Cu的前驱体与所述In2S3量子点中的In元素之间发生阳离子交换反应,得到CuxIn1‑xS2合金量子点,其中,02S3量子点,再通过阳离子交换技术将In2S3量子点转换成CuxIn1‑xS2合金量子点。CuxIn1‑xS2合金量子点的尺寸和晶格可通过预先设计In2S3量子点的尺寸和晶格完成。CuxIn1‑xS2合金量子点的发光可以通过调节CuxIn1‑xS2合金量子点中的Cu:In摩尔比例来实现调节。
搜索关键词: 量子点 合金 量子点溶液 前驱体 晶格 制备 阳离子交换反应 阳离子交换技术 预先设计 发光 转换
【主权项】:
1.一种量子点的制备方法,其特征在于,包括步骤:提供In2S3量子点溶液;向所述In2S3量子点溶液中加入Cu的前驱体,使所述Cu的前驱体与所述In2S3量子点中的In元素之间发生阳离子交换反应,得到CuxIn1‑xS2合金量子点,其中,0<x<1。
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