[发明专利]一种在铜基上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种在铜基上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法，该微米线阵列分布均匀，其直径约为1～2微米。制备方法为：将硫粉加入超纯水和无水乙醇的混合液中，再加入氢氧化钾后搅拌均匀，得到黄色溶液，将该溶液转移到内衬为聚四氟乙烯的高压反应釜中，将裁剪好的铜基材料放入反应釜并密封，在一定温度下反应，反应完成后自然冷却至室温进行清洗烘干，即得在铜基上生长的四硫七铜一钾微米线阵列。本发明的四硫七铜一钾微米线阵列制备工艺简单，成本低廉，稳定性好，反应所需要的原料无毒对环境无污染。

主权项

1.一种在铜基上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法，其特征在于：按照以下步骤完成：(1)、称取硫粉和氢氧化钾放入反应容器中，所述硫粉和氢氧化钾的质量比为1:80至1:160；(2)、称量无水乙醇与超纯水，加入步骤(1)的反应容器中，密封备用，所述无水乙醇与超纯水的体积比为1:5至3:5；(3)、将步骤(2)中得到的密封的反应容器放入超声波设备中，10‑20分钟后取出；(4)、裁剪面积为1～8cm2的铜基材料，用超纯水、无水乙醇超声洗涤15～30分钟，备用；(5)、用浓度为1～3mol/L的稀盐酸浸泡步骤(4)所得铜基材料5～20分钟，取出并用超纯水清洗干净，置入步骤(3)的反应容器中并密封；(6)、将步骤(5)所得的密封反应容器置入能恒温控制的加热设备中进行加热，加热温度为110～180℃，加热时间为4‑20小时；(7)、加热完毕后，将步骤(6)所得的密封反应容器从加热设备中取出，冷却至室温，将产物取出，经清洗、干燥后，即得在铜基上生长的四硫七铜一钾微米线阵列。