[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810060857.0 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108281520A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 马后永;卢国军 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED外延结构及其制备方法，GaN基LED外延结构包括：衬底、第一类型外延层、包括周期层叠的第一势阱层和第一势垒层的第一量子阱结构层、包括周期层叠的第二势阱层和第二势垒层的第二量子阱结构层、第二类型外延层，且所述第一势阱层的带隙大于所述第二势阱层的带隙。因在所述第二量子阱结构层之前加入了第一量子阱结构层，且在所述第一势阱层的带隙大于所述第二势阱层的带隙，所述第一量子阱结构层可以阻挡空穴注入到除了第二量子阱结构层之外的其他非发光区域，从而提高LED的内量子效率，提升LED的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱结构层 势阱层 带隙 外延结构 势垒层 外延层 制备 空穴 非发光区域 内量子效率 衬底 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基LED外延结构，其特征在于，包括：衬底；第一类型外延层，位于所述衬底上；第一量子阱结构层，位于所述第一类型外延层上，所述第一量子阱结构层包括周期层叠的第一势阱层和第一势垒层；第二量子阱结构层，位于所述第一量子阱结构层上，所述第二量子阱结构层包括周期层叠的第二势阱层和第二势垒层，且所述第一势阱层的带隙大于所述第二势阱层的带隙；以及第二类型外延层，位于所述第二量子阱结构层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于映瑞光电科技（上海）有限公司，未经映瑞光电科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810060857.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
