[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，所述制备方法包括通过在LED外延结构的P型外延层上形成透明导电层；形成贯穿透明导电层暴露出部分P型外延层的开口；形成填充满开口且覆盖透明导电层的表面的P电极层；以及形成在N型外延层表面的N电极，其中，开口与N电极在透明导电层上的垂直投影相对应，且开口的尺寸大于N电极在透明导电层上的垂直投影的尺寸。则开口暴露出的P型外延层与P电极层直接接触，两者之间的高接触电阻区域便形成了电流阻挡结构，从而将注入电流有效扩展，缓解所述N电极下方电流的拥挤，提高电流的均匀分布，从而提高LED芯片的发光强度和效率。

主权项

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供LED外延结构，所述LED外延结构包括衬底；自下至上依次形成于所述衬底上的N型外延层、量子阱层及P型外延层；形成透明导电层，在所述P型外延层上形成所述透明导电层；形成开口，所述开口贯穿所述透明导电层暴露出部分所述P型外延层；形成P电极层，所述P电极层填充满所述开口且覆盖所述透明导电层的表面；提供基板，将所述基板与所述P电极层相键合；去除所述衬底并暴露出所述N型外延层；形成N电极，在所述N型外延层表面形成所述N电极；其中，所述开口与所述N电极在所述透明导电层上的垂直投影相对应，且所述开口的尺寸大于所述N电极在所述透明导电层上的垂直投影的尺寸。