[发明专利]基于CMOS后工艺实现的三维光电集成光栅耦合器及制备方法有效
| 申请号： | 201810062158.X | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN110068894B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 黄北举;张欢;程传同;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三维光电集成光栅耦合器及其制备方法，所述三维光电集成光栅耦合器包括自下而上沉积在CMOS集成电路上的隔离层、第一光电器件层、监测层、缓冲层、第二光电器件层和保护层，多个通孔穿过上述各层，所述通孔中填充有金属并与CMOS集成电路的电极接触，所述通孔上方设置有互连电极；其中，第一光电器件层用于制备与CMOS集成电路相互作用的下层光栅耦合器；第二光电器件层用于制备与所述第一光电器件层进行光互连的上层光栅耦合器。本发明可实现光栅耦合器与CMOS集成电路单片集成，并实现三维光互连，降低层间光互连的传输损耗，最大化层间耦合效率。本发明与CMOS工艺兼容，易于制备，可用于三维光电集成，实现高密度光电子器件与微电子电路集成。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cmos 工艺 实现 三维 光电 集成 光栅 耦合器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于CMOS后工艺实现的三维光电集成光栅耦合器，包括自下而上沉积在CMOS集成电路上的隔离层、第一光电器件层、监测层、缓冲层、第二光电器件层和保护层，多个通孔穿过上述各层，所述通孔中填充有金属并与CMOS集成电路的电极接触，所述通孔上方设置有互连电极；其中，所述第一光电器件层用于制备与CMOS集成电路相互作用的下层光栅耦合器；所述第二光电器件层用于制备与所述第一光电器件层进行光互连的上层光栅耦合器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810062158.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种含局部中间折射率包层的双直波导微环结构
- 下一篇：一种翼型光纤调芯结构
