[发明专利]一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 201810062341.X | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108288651B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;陈建秋;姚日晖;杨财桂;陶瑞强;周艺聪;邓宇熹;周尚雄;袁炜健;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法。室温下依次用射频磁控溅射在衬底上沉积一层Al |
||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 制备 透明 结构 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)室温下用射频磁控溅射在衬底上沉积一层Al2O3缓冲层；(2)室温下用射频磁控溅射在Al2O3缓冲层上沉积一层图形化Nd‑IZO半导体层；(3)室温下用直流磁控溅射在半导体层两侧沉积一层图形化ITO源漏电极，且源漏电极与半导体层部分重叠；(4)室温下用射频磁控溅射沉积一层图形化Al2O3栅极绝缘层，且栅极绝缘层完全盖住半导体层，部分盖住源漏电极，露出源漏电极引出线；(5)室温下用直流磁控溅射在栅极绝缘层上表面沉积一层图形化ITO栅电极，且ITO栅电极与ITO源漏电极部分重叠；(6)整个器件在大气环境下350℃～400℃热退火1h，并自然冷却，得到全透明顶栅结构薄膜晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810062341.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
