[发明专利]改善栅极氧化层质量的屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法有效
| 申请号： | 201810062556.1 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108364870B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;杨乐;刘挺;岳玲 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改善栅极氧化层质量的屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法，通过在深槽内填充并回刻蚀多晶硅，使两个深槽互相电荷平衡完成超结功能，再在深槽上方采用氧化层淀积加厚栅极源极间氧化层，最后通过栅极热氧化和多晶硅淀积，共同构成屏蔽栅沟槽器件。本发明通过一次能氧化层各向异性淀积的特殊条件高密度等离子体化学气相淀积对栅极源极间氧化层厚度和形貌进行调整，可形成高质量栅极源极间氧化层，可以用传统的半导体制造工艺实现，在工艺难度不增加的情况下改善源极多晶硅与栅极多晶硅之间氧化层质量，优化产品的参数，提高成品率和可靠性，最终达到降低芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 栅极 氧化 质量 屏蔽 沟槽 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于龙腾半导体股份有限公司，未经龙腾半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810062556.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于BIM技术的工程施工模型导出方法
- 下一篇：数据贮存装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
