[发明专利]一种低氧高效硅锭的制备方法

摘要

本发明是一种低氧高效硅锭的制备方法，具体包括以下步骤：（1）氮化硅涂层制备；（2）将（1）制得的氮化硅溶液利用刷涂的方式刷涂到坩埚四壁及坩埚底部；（3）按照常规的装料方式，先籽晶小料—回收料—常规块料等步骤；（4）按照常规流程将G6硅料装入G6多晶炉，安装保温条后正常合炉抽真空，加热到1550‑1570℃，使得硅料完全融化后；（5）利用20‑30min使得炉内压力由常规的600mbar降低到100‑200mbar，后在此压力下保压2‑4h，低压过程结束后，利用20‑30min使得炉压恢复到600mbar；本发明减少了坩埚中氧对于硅锭的扩散作用，同时本发明增加坩埚内熔体的对流作用，使得沉积在坩埚底部的氧在对流作用下排出到硅液表面，经大的氩气流量带出炉腔，从而达到降低尾氧的作用。

主权项

一种低氧高效硅锭的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：步骤一：氮化硅涂层制备：将800g氮化硅溶入到2000‑2600ml纯净水中，不停地搅拌使其均匀，然后在搅拌均匀的溶液中加入氮化硅总量的20%‑50%的粘结剂，然后通过机械搅拌，以200‑300r/min搅拌速度搅拌20‑30min，使其混合均匀；步骤二：将步骤一制得的氮化硅溶液利用刷涂的方式刷涂到坩埚四壁及坩埚底部，刷涂使用羊毛刷，然后在恒温车间内静置24h以上，恒温车间温度控制在20‑30℃，湿度≤40RH；步骤三：装料：按照常规的装料方式，先籽晶小料—回收料—常规块料等步骤，将重量在0.8‑0.9T的G6硅料装料坩埚中；步骤四：硅料融化：按照常规流程将G6硅料装入G6多晶炉，按装保温条后正常合炉抽真空，加热到1550‑1570℃，使得硅料完全融化后，通过控制TC1温度和隔热笼开度，进入长晶阶段；步骤五：利用20‑30min使得炉内压力由常规的600mbar降低到100‑200mbar，后在此压力下保压2‑4h，低压过程结束后，利用20‑30min使得炉压恢复到600mbar，并在低压保压阶段，加大进气流量设定，由常规的60%设定到75%‑85%，确保坩埚底部氧通过高对流作用排除到硅液表面，并通过高气流带出铸锭炉。