[发明专利]基于III/V族半导体的电路及运行该电路的方法

摘要

本发明公开了基于III/V族半导体的电路及运行该电路的方法。提供了设置有III/V族半导体区域的电子电路以及运行这种电路的方法。具体地，本申请涉及基于氮化镓(GaN)半导体的电子电路。必须以确保在广泛的GaN参数变化范围内的适当工作的方式来控制GaN部件。存在包括耦合到第二区域的第一区域的电路，第一区域基于III/V族半导体；其中，第一区域包括第一部件和第二部件。第二部件代表第一部件的电特性。第二区域包含适于感测第二部件的电气参量的传感器以及耦合到传感器的输入发生器。输入发生器适于基于电气参量向第一区域提供至少一个输入。

主权项

1.一种电路，包括耦合到第二区域的第一区域，所述第一区域基于III/V族半导体；其中，所述第一区域包括第一部件和第二部件，所述第二部件表示所述第一部件的电特性；并且其中，所述第二区域包括适于感测所述第二部件的电气参量的传感器；以及耦合到所述传感器的输入发生器，所述输入发生器适于向所述第一区域提供至少一个输入，其中，所述至少一个输入基于所述电气参量。