[发明专利]一种石墨烯电调太赫兹波吸收器有效

专利信息
申请号: 201810064216.2 申请日: 2018-01-23
公开(公告)号: CN108336503B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 李九生;陈旭生 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: H01Q17/00 分类号: H01Q17/00;G02B5/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 傅朝栋;张法高
地址: 310018 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种石墨烯电调太赫兹波吸收器。它包括顶层介质光栅、上层介电薄膜、石墨烯、下层介电薄膜和金属基底;介质光栅的下层为上层介电薄膜,上层介电薄膜的下层为石墨烯,石墨烯下层为下层介电薄膜,下层介电薄膜下层为金属基底,石墨烯层和金属基底通过电压源相连,通过电压改变石墨烯层的费米能级,从而在吸收峰处实现高吸收率;太赫兹波以入射角为θ射入,少部分太赫兹波在介质光栅层发生反射,其余太赫兹波发生折射,进入吸收器内部,通过调节石墨烯层的费米能级,实现太赫兹波吸收峰的调谐。本发明具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制原理简单等优点。
搜索关键词: 一种 石墨 烯电调太 赫兹 吸收
【主权项】:
1.一种石墨烯电调太赫兹波吸收器,其特征在于它包括介质光栅(1)、上层介电薄膜(2)、石墨烯层(3)、下层介电薄膜(4)、金属基底(5)和电压源(6);介质光栅(1)的下层是上层介电薄膜(2),上层介电薄膜(2)的下层是石墨烯层(3),石墨烯层(3)的下层是下层介电薄膜(4),下层介电薄膜(4)的下层是金属基底(5),石墨烯层(3)和金属基底(5)通过电压源(6)相连接;介质光栅(1)是由对称结构单元在上层介电薄膜(2)上阵列排布而成;每个对称结构单元呈中心对称,包括正方形突起(7)、四条完全相同的直角边(9)和两条对角线(8),四条直角边(9)排列形成一个每条边的中间位置具有间隙(10)的正方形环,正方形环的四个角点分别通过两条对角线(8)相连,每条间隙(10)两侧的直角边(9)端部各连接有一个正方形突起(7),正方形突起(7)位于所述正方形环外部。
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