[发明专利]基于自激励单电子自旋电磁晶体管的应用电路

摘要

本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的应用电路，包括由自激励单电子自旋电磁晶体管和环路电阻R1组成的squit环，自激励单电子自旋电磁晶体管的源极、漏极与源漏极电压Vds1连接，栅极与栅极电压Vg连接，squit环的右侧与射频电路形成互感，左侧通过栅极电压Vg与待测电压Vs连接，自激励单电子自旋电磁晶体管包括设置有纳米碳化硅薄膜结构、源极、漏极、栅极的衬底，纳米碳化硅薄膜结构由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成，纳米碳化硅薄膜结构的两端分别与源极和漏极接触，形成源漏极有源区，纳米碳化硅薄膜结构的上部依次设置有绝缘层、接触金属层，栅极从接触金属层引出。本发明具有灵敏度高、测量准确的特点。

主权项

1.一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的应用电路，其特征在于：包括由自激励单电子自旋电磁晶体管和环路电阻R1组成的自旋量子干涉晶体管环，所述自激励单电子自旋电磁晶体管的源极、漏极与源漏极电压Vds1连接，栅极与栅极电压Vg连接，所述自旋量子干涉晶体管环的右侧与射频电路形成互感，左侧通过栅极电压Vg与待测电压Vs连接，所述自激励单电子自旋电磁晶体管包括设置有纳米碳化硅薄膜结构(2)、源极(3)、漏极(4)、栅极(7)的衬底(1)，所述纳米碳化硅薄膜结构(2)由层状纳米碳化硅单晶体薄膜(2‑1)互嵌构成，所述纳米碳化硅薄膜结构(2)的两端分别与源极(3)和漏极(4)接触，形成源漏极有源区，所述纳米碳化硅薄膜结构(2)的上部依次设置有绝缘层(5)、接触金属层(6)，所述栅极(7)从接触金属层(6)引出。