[发明专利]一种CMP后晶圆表面缺陷的检测方法在审
| 申请号： | 201810065217.9 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108269748A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张中佳;刘命江;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱薇蕾;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种CMP后晶圆表面缺陷的检测方法，所述方法包括：在预设工艺条件下对第一样本晶圆和第二样本晶圆表面的透光膜层进行CMP处理；使用光学检验法检测所述第一样本晶圆的表面缺陷数量；在所述第二样本晶圆表面涂覆不透光涂层，并使用光学检验法检测所述第二样本晶圆的表面缺陷数量；确定所述第二样本晶圆与所述第一样本晶圆的表面缺陷数量之间的关联关系；在所述预设工艺条件下对待检测晶圆表面的透光膜层进行CMP处理；使用光学检验法检测所述待检测晶圆的表面缺陷数量，并根据所述关联关系进行修正，以确定所述待检测晶圆的实际表面缺陷数量。通过本发明的方案能够有效改善光学检验机台对CMP后的晶圆的表面缺陷的检出能力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 样本 表面缺陷 晶圆表面 检测 光学检验 工艺条件 关联关系 透光膜层 预设 机台 不透光涂层 实际表面 检出 涂覆 修正 | ||
【主权项】：
1.一种CMP后晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，包括：在预设工艺条件下对第一样本晶圆和第二样本晶圆表面的透光膜层进行CMP处理；使用光学检验法检测所述第一样本晶圆的表面缺陷数量；在所述第二样本晶圆表面涂覆不透光涂层，并使用光学检验法检测所述第二样本晶圆的表面缺陷数量；确定所述第二样本晶圆与所述第一样本晶圆的表面缺陷数量之间的关联关系；在所述预设工艺条件下对待检测晶圆表面的透光膜层进行CMP处理；使用光学检验法检测所述待检测晶圆的表面缺陷数量，并根据所述关联关系进行修正，以确定所述待检测晶圆的实际表面缺陷数量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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