[发明专利]一种N型异质结双面太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种N型异质结双面太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：S1：提供N型硅片基体；S2：对N型硅片基体进行双面制绒；S3：在N型硅片基体的正面形成n+轻掺杂层；S4：对N型硅片基体的背面进行腐蚀并清洗；S5：通过一个工艺步骤在N型硅片基体正面的n+轻掺杂层上依次形成正面本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层；S6：通过一个工艺步骤在N型硅片基体的背面依次形成背面本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层；S7：在N型硅片基体的正面和背面形成TCO薄膜；S8：在N型硅片基体的背面形成正电极，并在其正面形成负电极。该方法易于获得良好的表面钝化效果并解决了现有技术中不利于用作太阳电池正面的窗口层的问题，有利于提高电池的转换效率。

主权项

1.一种N型异质结双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供N型硅片基体；S2：对所述N型硅片基体进行双面制绒；S3：在所述N型硅片基体的正面形成n+轻掺杂层；S4：对N型硅片基体的背面进行腐蚀并清洗，去除绕扩到背面的n+轻掺杂层和正面扩散形成的PSG；S5：通过一个工艺步骤在N型硅片基体正面的n+轻掺杂层上依次形成正面本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层；S6：通过一个工艺步骤在N型硅片基体的背面依次形成背面本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层；S7：在N型硅片基体的正面和背面形成TCO薄膜；S8：在N型硅片基体的背面形成正电极，并在N型硅片基体的正面形成负电极。