[发明专利]用于电气过载保护的漏极扩展金属氧化物半导体双极开关

摘要

提供用于电气过载保护的高电压漏极扩展金属氧化物半导体(DEMOS)双极开关。在本文的某些构造中，电气过载开关的实施方案提供电气过载保护，例如静电放电/电气过载(ESD/EOS)保护，包括DEMOS装置和嵌入的双极装置。开关的实施是为了达到DEMOS与双极装置组合导通的优点。例如，DEMOS装置在栅极区域提供表面导电，用于相对较快的开关器件导通和低电压过冲，而双极性装置在应力条件下提供高电流传导，并具有高保持电压特性，以防止在关键任务集成电路中的闩锁。

主权项

1.集成电路(IC)，包括：基板；和电气过载开关，形成在所述基板中并且包括漏极扩展金属氧化物半导体(DEMOS)装置和双极装置，所述双极装置被配置为响应于电气过载条件而夹持，其中所述电气过载开关还包括：半导体区域，作为所述双极装置的基极运行；有源区域，作为所述双极装置的发射极和作为所述DEMOS装置的源极运行，其中所述有源区域形成于半导体区域中并且与所述半导体区域的掺杂类型相反；阱，作为所述双极装置的集电极和作为所述DEMOS装置的漏极运行，其中所述阱与在所述半导体区域中的有源区域隔开，并且与所述有源区域为共同掺杂类型；和栅极区域，作为所述DEMOS装置的栅极运行，其中所述栅极区域形成在所述半导体区域上方并且从所述有源区域的边缘延伸到所述阱的边缘。