[发明专利]一种基于普适绝缘层的OFET管驱动及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于普适绝缘层的OFET管驱动，包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5)，绝缘层(2)为一种普适材料PVP，在栅极(1)表面上覆盖PVP层(2)，在PVP层(2)上覆盖有源层(3)。有源层(3)为P型有源层Pentance(31)和N型有源层F16CuPc(32)，在绝缘层(2)表面上覆盖Pentance和F16CuPc，形成为有序晶体状有机薄膜。本方法发明包括步骤：1、ITO基片的预处理；2、在基片上旋涂绝缘层；3、蒸镀Pentance和F16CuPc；4、源漏电极的制备。本发明的OFET管驱动提高了OFET管驱动性能，且能降低OFET管驱动制备难度，制备工艺简单；实现一种同时满足在空气中稳定且性能优良的OFET管驱动，本方法发明在微电子及应用电子领域有广泛的应用价值。

主权项

1.一种基于普适绝缘层的OFET管驱动，包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5)，其特征是：绝缘层(2)为一种普适材料PVP，在栅极(1)表面上覆盖PVP层(2)，在PVP层(2)上覆盖有源层(3)。有源层(3)为P型有源层Pentance(31)和N型有源层F16CuPc(32)，在绝缘层(2)表面上覆盖Pentance和F16CuPc，形成为有序晶体状有机薄膜。