[发明专利]重新校准环形胞元电路在审

专利信息
申请号: 201810067650.6 申请日: 2018-01-24
公开(公告)号: CN109861686A 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: 蔡宗宪;张智贤;沈瑞滨;谢正祥 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种重新校准环形胞元电路。重新校准环形胞元电路包括:单端转差分单元、或门、与门、P型金属氧化物半导体晶体管及N型金属氧化物半导体晶体管。单端转差分单元具有配置用于接收重新校准信号的输入、用于输出第一差分输出的第一输出及用于输出第二差分输出的第二输出。用于输出的第一输出是或门的第一输入。用于输出的第二输出是与门的第一输入。P型金属氧化物半导体晶体管的栅极电连接到或门的输出。N型金属氧化物半导体晶体管的栅极电连接到与门的输出。P型金属氧化物半导体晶体管的漏极与N型金属氧化物半导体晶体管的漏极相互电连接且还电连接到或门的第二输入及与门的第二输入。
搜索关键词: 输出 重新校准 电连接 或门 与门 胞元 电路 单端 漏极 转差 配置
【主权项】:
1.一种重新校准环形胞元电路,其特征在于,包括:单端转差分单元,具有输入、第一输出及第二输出,所述输入被配置成接收重新校准信号,所述第一输出用于输出第一差分输出,所述第二输出用于输出第二差分输出;或门,其中用于输出的所述第一输出是所述或门的第一输入;与门,其中用于输出的所述第二输出是所述与门的第一输入;第一P型金属氧化物半导体晶体管,其中所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极电连接到所述或门的输出;以及第一N型金属氧化物半导体晶体管,其中所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极电连接到所述与门的输出,其中所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏极与所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极相互电连接且还电连接到所述或门的第二输入及所述与门的第二输入。
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