[发明专利]包括具有晶核结构的导电结构的半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810067806.0 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108346619A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 金太烈;姜池远;申忠桓;李琎一;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件和形成其的方法，该半导体器件包括：具有开口的绝缘结构；设置在开口中的导电图案；覆盖导电图案的底表面的阻挡结构，阻挡结构在导电图案与开口的侧壁之间延伸；以及晶核结构，设置在导电图案与阻挡结构之间。晶核结构包括接触阻挡结构的第一晶核层和接触导电图案的第二晶核层，并且第二晶核层的顶端部分高于第一晶核层的顶端部分。 | ||
| 搜索关键词： | 导电图案 阻挡结构 晶核层 半导体器件 晶核 开口 导电结构 接触导电 绝缘结构 侧壁 图案 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有开口的绝缘结构；设置在所述开口中的导电图案；阻挡结构，在所述导电图案与所述开口的侧壁之间延伸，所述阻挡结构覆盖所述导电图案的底表面；以及晶核结构，设置在所述导电图案与所述阻挡结构之间，其中所述晶核结构包括接触所述阻挡结构的第一晶核层和接触所述导电图案的第二晶核层，以及所述第二晶核层的顶端部分在所述第一晶核层的顶端部分之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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