[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201810067968.4 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109841574B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 吴尉壮;洪丰基;洪升晖;陈春元;江彦廷;刘人诚;王俊智;杨敦年 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请公开了CMOS图像传感器及其形成方法。本公开涉及具有多深沟槽隔离(MDTI)结构的CMOS图像传感器，以及相关联的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域被布置在衬底内并分别包括光电二极管。边界深沟槽隔离(BDTI)结构被布置在相邻像素区域之间，从衬底的背面延伸到衬底内的第一深度，并围绕光电二极管。多深沟槽隔离(MDTI)结构被布置在各个像素区域内，从衬底的背面延伸到衬底内的第二深度，并覆盖光电二极管。电介质层填充在BDTI结构的BDTI沟槽和MDTI结构的MDTI沟槽中。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器，包括：衬底，具有正面和与所述正面相反的背面；多个像素区域，被布置在所述衬底上并分别包括光电二极管，所述光电二极管被配置成把从所述背面进入所述衬底的辐射转换成电信号；边界深沟槽隔离BDTI结构，被布置在相邻像素区域之间，从所述衬底的背面延伸到所述衬底内的第一深度，并围绕所述光电二极管；多深沟槽隔离MDTI结构，被布置在所述多个像素区域内，从所述衬底的背面延伸到所述衬底内的第二深度，并覆盖所述光电二极管；以及电介质层，填充在所述BDTI结构的BDTI沟槽和所述MDTI结构的MDTI沟槽中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
