[发明专利]一种单片硅晶圆气相HMDS涂布装置有效

专利信息
申请号: 201810068566.6 申请日: 2018-01-24
公开(公告)号: CN108080220B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 傅立超;施科科 申请(专利权)人: 宁波润华全芯微电子设备有限公司
主分类号: B05C9/14 分类号: B05C9/14;B05D3/04
代理公司: 北京君恒知识产权代理有限公司 11466 代理人: 张强;郑黎明
地址: 315400 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种单片硅晶圆气相HMDS涂布装置,涉及一种半导体制造技术,包括盘体组件和上盖组件,所述的盘体组件和上盖组件相互开合,所述的盘体组件与所述的上盖组件闭合时两者之间形成涂布腔且两者密封,所述的上盖组件与所述的盘体组件之间采用气体密封结构,所述气体密封结构内气体压力大于所述涂布腔内压力,所述的上盖组件内设置有与所述涂布腔连通的HMDS进气道和HMDS出气道。能够在常压情况下对晶圆进行涂布,涂布时HMDS流速低,每片晶圆HMDS涂布消耗量仅需1.125 L~1.67L,同时涂布的均匀性好。解决以往真空涂布时对设备结构和加工精度要求高,HMDS流速快消耗量多,同时涂布不均匀的问题。
搜索关键词: 一种 单片 硅晶圆气相 hmds 装置
【主权项】:
1.一种单片硅晶圆气相HMDS涂布装置,其特征为,包括盘体组件和上盖组件,所述的盘体组件和上盖组件相互开合,所述的盘体组件与所述的上盖组件闭合时两者之间形成涂布腔且两者密封,所述的上盖组件与所述的盘体组件之间采用气体密封结构,所述气体密封结构内气体压力大于所述涂布腔内压力,所述的上盖组件内设置有与所述涂布腔连通的HMDS进气道和HMDS出气道。
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