[发明专利]抗腐蚀导电膜及其脉冲偏压交替磁控溅射沉积方法和应用

摘要

本发明涉及一种抗腐蚀导电膜及其脉冲偏压交替磁控溅射沉积方法和应用，抗腐蚀导电膜通过采用高低脉冲偏压交替的方法在基底表面依次沉积形成抗腐蚀保护层、应力过渡层和导电层得到。与现有技术相比，本发明通过调节高低偏压大小、沉积时间比例和交替次数，控制纳米多层抗腐蚀导电薄膜往导电性高趋势生长，这种偏压交替沉积策略优势在于一方面制备的纳米多层交替的涂层结构抑制了柱状结构的生长，避免形成腐蚀通道，提高了抗腐蚀性能，另一方面通过偏压调制改变了涂层微观组织结构，提高了导电性，还避免了电偶腐蚀现象，因而具有更优越的抗腐蚀性能、导电性能等综合性能，在燃料电池金属极板、输电线路接地电网设备等领域中具有巨大的应用前景。

主权项

1.一种抗腐蚀导电膜的脉冲偏压交替磁控溅射沉积方法，其特征在于，分别采用高低脉冲偏压交替的方法在基底表面依次沉积形成抗腐蚀保护层、应力过渡层和导电层；所述的高低脉冲偏压交替的方法包括多次高低偏压交替，每次高低偏压交替通过先施加绝对值较小的低脉冲偏压并沉积一定时间TL后，再施加绝对值较大的高脉冲偏压并沉积一定时间TH实现，沉积形成应力过渡层的过程中，高脉冲偏压的偏压值的绝对值逐次递增。