[发明专利]晶圆级封装中形成通孔的方法有效
| 申请号： | 201810070206.X | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108336020B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘孟彬 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级封装中形成通孔的方法，该方法包括：提供形成有第一芯片的器件晶圆，器件晶圆的正面或背面通过芯片连接薄膜粘贴有多个第二芯片；在所述器件晶圆的与粘贴有多个所述第二芯片的一面相背的另一面上形成具有开口的的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜对所述器件晶圆和所述芯片连接薄膜分别执行两次以上的刻蚀以形成贯穿所述器件晶圆和所述芯片连接薄膜的通孔，其中，每进行一次刻蚀所述芯片连接薄膜的步骤之前，进行一次刻蚀所述器件晶圆的刻蚀，并且仅在对所述芯片连接薄膜进行最后一次刻蚀时刻穿所述芯片连接薄膜。该晶圆级封装中形成通孔的方法可以避免通孔制作芯片连接薄膜刻蚀孔径大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级封装中形成通孔的方法，其特征在于，包括：提供形成有第一芯片的器件晶圆，所述器件晶圆的正面或背面通过芯片连接薄膜粘贴有多个第二芯片；在所述器件晶圆的与粘贴有多个所述第二芯片的一面相背的另一面上形成具有开口的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜对所述器件晶圆和所述芯片连接薄膜分别执行两次以上的刻蚀以形成贯穿所述器件晶圆和所述芯片连接薄膜的通孔，其中，每进行一次刻蚀所述芯片连接薄膜的步骤之前，进行一次刻蚀所述器件晶圆的刻蚀，并且仅在对所述芯片连接薄膜进行最后一次刻蚀时刻穿所述芯片连接薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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