[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

摘要

一种具有多个单位单元的非易失性存储器件，所述多个单位单元中的每个包括适于具有固定阈值电压的第一晶体管，以及适于与第一晶体管并联耦接且具有可变阈值电压的第二晶体管。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：隔离沟槽，所述隔离沟槽形成在衬底上并且限定有源区；第一导电类型隔离阱，所述第一导电类型隔离阱形成在所述衬底上且与所述有源区相对应；存储器层，所述存储器层形成在所述隔离沟槽的表面上；间隙填充绝缘层，所述间隙填充绝缘层将所述存储器层上的隔离沟槽部分地填充；栅极，所述栅极形成在所述衬底上，并且填充所述间隙填充绝缘层上的剩余的隔离沟槽；第二导电类型源极和第二导电类型漏极，所述第二导电类型源极和所述第二导电类型漏极形成在所述栅极的两侧下方的有源区上；以及第一导电类型阈值电压调节区，所述第一导电类型阈值电压调节区形成在所述第二导电类型源极和所述第二导电类型漏极之间的有源区上。