[发明专利]具有单元沟槽结构和接触点的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了具有单元沟槽结构和接触点的半导体器件及其制造方法。第一单元沟槽结构和第二单元沟槽从第一表面延伸至半导体衬底中。该第一单元沟槽结构包括第一埋置电极以及在该第一埋置电极和半导体台面之间的第一绝缘层，半导体台面分隔第一单元沟槽结构和第二单元沟槽结构。包覆层覆盖第一表面。图形化该包覆层以形成具有最小宽度大于第一绝缘层厚度的开口。该开口暴露第一绝缘层在第一表面处的第一垂直部分。除去第一绝缘层的暴露部分以形成在半导体台面和第一埋置电极之间的凹部。接触结构在该开口和该凹部中。接触结构电连接半导体台面中的埋置区和第一埋置电极，并允许更窄的半导体台面宽度。

主权项

1.一种绝缘栅双极型晶体管，包括：第一单元沟槽结构，从第一表面延伸到半导体部分中，并且包括第一埋置电极和在所述第一埋置电极与所述半导体部分之间的第一绝缘体层；第二单元沟槽结构，从所述第一表面延伸到所述半导体部分中，并且包括与所述半导体部分介电绝缘的第二埋置电极；第一半导体台面，将所述第一单元沟槽结构与所述第二单元沟槽结构分开，并且包括源区和体区，其中所述源区从所述第一单元沟槽结构延伸到所述第二单元沟槽结构，并且其中所述体区在与所述第一表面相距第一距离处与所述源区形成第一pn结并且包括沿着所述第一半导体台面的侧壁部分的接触区；第二半导体台面，将所述第一单元沟槽结构彼此分开；以及第一接触结构，包括所述第一半导体台面与所述第一埋置电极之间的第二部分，所述第二部分与所述接触区直接邻接并且与所述第二半导体台面分开。