[发明专利]一种多晶SnSe2低成本热电材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810072148.4 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108396387A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 裴艳中;李文;吴怡萱 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B28/02;H01L35/16 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶SnSe2低成本热电材料及其制备方法，其化学式为SnBrxSe2‑x，x＝0～0.05；该热电材料的制备方法以单质和SnBr2为原料，按所述的化学式的化学计量比进行配料，通过真空封装、熔融反应淬火及热处理淬火后，研磨成粉末，进行真空高温热压烧结，缓慢冷却后得到的块体材料即为热电材料。与现有技术相比，本发明制得了低导热高热电性能的高性能各向异性热电材料，探索出制备高致密度、高机械强度和高热电性能的各向异性热电材料的方法，该热电材料在温度为750K时达到热电峰值，平行于热压方向的zT为0.65，垂直于热压方向的zT为0.40，是一类极具潜力的热电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 热电材料 制备 高热电性能 低成本 多晶 热压 化学计量比 热处理淬火 缓慢冷却 块体材料 热压烧结 熔融反应 真空封装 真空高温 研磨 低导热 淬火 单质 热电 平行 垂直 探索 | ||
【主权项】：
1.一种多晶SnSe2低成本热电材料，其特征在于，其化学式为SnBrxSe2‑x，其中，x＝0～0.05。
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