[发明专利]一种高性能银碲化合物热电半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810072149.9 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108346736A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 裴艳中;李文;张馨月 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高性能银碲化合物热电半导体材料及其制备方法，所述的银碲化合物热电半导体材料化学式为Ag5‑xTe3，‑0.04≤x≤0.14；该材料的制备是以高纯单质为原料，按上述化学式中的化学计量比配料，通过真空封装、高温熔融、退火热处理后，研磨成粉末，进行真空热压烧结、缓慢降温后得到片状块体材料，即为目的产物。与现有技术相比，本发明制得了具有极低热导率、高热电性能的热电半导体材料，探索出了获得高质量多晶样品的制备工艺，该热电材料的晶格热导率在全温度范围内低至0.18～0.25W/m·K，并在温度到达650K时其热电优值达到1.0，是一类极具潜力的热电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 热电半导体材料 碲化合物 制备 热电材料 退火 真空热压烧结 高热电性能 化学计量比 晶格热导率 热处理 低热导率 高温熔融 缓慢降温 真空封装 制备工艺 研磨 片状块 体材料 单质 多晶 高纯 热电 探索 | ||
【主权项】：
1.一种高性能银碲化合物热电半导体材料，其特征在于，其化学式为Ag5‑xTe3，其中，‑0.04≤x≤0.14。
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