[发明专利]基于非晶SmCo的磁电耦合异质结结构及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810072164.3 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108251799B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 梁文会;胡凤霞;熊杰夫;李佳;乔凯明;刘瑶;匡皓;王晶;孙继荣;沈保根 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/34;C23C14/35;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅;赵岩 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有面内磁各向异性和磁电耦合性质的异质结结构及其制备方法和应用，所述异质结结构依次包括：(011)取向的单晶衬底、非晶SmCo膜层和Cr覆盖层。由(011)取向的单晶衬底所提供的面内各向异性应力场可诱导非晶SmCo薄膜产生面各向异性。其中，当衬底为PMN‑PT时，异质结结构具体来说是一种磁电耦合异质结结构，本发明的磁电耦合异质结结构是一种全新的以非晶永磁SmCo合金做为铁磁层的多铁复合物异质结。由于兼具良好面各向异性和非易失性各向异性磁记忆效应，该异质结在磁存储、磁记录、高灵敏磁电弱信号探测器、磁能积可调的微型永磁材料，传感器、逻辑器件和电控磁记录等方面都有潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 smco 磁电 耦合 异质结 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有面内磁各向异性和磁电耦合性质的异质结结构，所述异质结结构依次包括：(011)取向的单晶衬底、非晶SmCo膜层和Cr覆盖层。
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