[发明专利]半导体器件和方法在审
| 申请号： | 201810072812.5 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109326502A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 许耀文;连建洲;杨能杰;吴嘉伟;陈冠霖;黄国彬;陈立民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体器件和方法。一种制造半导体器件的方法包括把材料暴露于半水刻蚀溶液。该半水刻蚀溶液包括溶剂，该溶剂与该材料螯合并在促刻蚀剂与该材料之间用作催化剂。这样，可以用促刻蚀剂来移除该材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 刻蚀溶液 刻蚀剂 溶剂 材料暴露 移除 催化剂 合并 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：把硬掩膜材料暴露于湿法刻蚀溶液，所述湿法刻蚀溶液包括：促刻蚀剂材料，该材料能够与所述硬掩膜材料反应；和螯合剂溶剂，该溶剂对所述促刻蚀剂材料与所述硬掩膜材料的反应进行催化；以及用所述湿法刻蚀溶液移除所述硬掩膜材料的至少一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810072812.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
