[发明专利]一种聚酰亚胺薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810073351.3 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108264766A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 无锡创彩光学材料有限公司 |
| 主分类号： | C08L79/08 | 分类号： | C08L79/08;C08K7/08;C08K3/30;C08J5/18;C08G73/10 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅;任月娜 |
| 地址： | 214161 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，采用二胺混合物与等摩尔量的二酐在强极性溶剂中制备聚酰胺酸溶液，然后加入聚酰胺酸溶液质量0.1‑5%的纳米硫酸钙晶须成膜后经亚胺化制备得到聚酰亚胺薄膜。本发明制备方法简单，步骤易于操作，通过向原料中加入纳米硫酸钙晶须能够使聚酰亚胺薄膜具备更好的二维力学性能、较低的收缩率且薄膜无通孔，且具有较好的遮盖性、耐水性能、耐化学品性能、高模量、低收缩的性能，能够广泛应用电子线路板用覆铜膜、覆盖膜、绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺薄膜 制备 聚酰胺酸溶液 纳米硫酸钙 晶须 耐化学品性能 二胺混合物 强极性溶剂 等摩尔量 力学性能 耐水性能 应用电子 线路板 低收缩 覆盖膜 高模量 绝缘膜 收缩率 亚胺化 遮盖性 成膜 二维 二酐 覆铜 通孔 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：采用二胺混合物与等摩尔量的二酐为原料在强极性溶剂中制备聚酰胺酸溶液，然后加入原料质量0.1‑5%的纳米硫酸钙晶须成膜后经亚胺化制备得到聚酰亚胺薄膜。
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