[发明专利]二氟甲氧桥键低粘度巨电热效应的单体液晶及其制备方法有效
| 申请号： | 201810074018.4 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108192640B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 苗宗成;赵玉真;张永明;赵阳;谢雪珂;尚宝强;郭锟 | 申请（专利权）人： | 西京学院 |
| 主分类号： | C09K19/30 | 分类号： | C09K19/30;C07C41/30;C07C43/192;C07C253/30;C07C255/46;C07C331/26 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710123 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
一种二氟甲氧桥键低粘度巨电热效应的单体液晶及其制备方法，单体液晶结构为： |
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| 搜索关键词： | 二氟甲氧桥键低 粘度 电热 效应 单体 液晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二氟甲氧桥键低粘度巨电热效应的单体液晶，其特征在于，结构为：![]()
A＝‑F；‑CF3；‑CN；‑NO2；‑NCS；![]()
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其中R的结构为C3‑C12直链烷基、C3‑C12直链烷酯基或C3‑C12直链烷基环己基中的一种；A的结构为氟基、三氟甲基、氰基、硝基、氟苯、异硫氰基、三氟甲基苯、氰基苯、异硫氰基苯或硝基苯。
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