[发明专利]一种基于惰性离子注入法提升熔石英损伤阈值的方法在审

专利信息
申请号: 201810074811.4 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN108238725A 公开(公告)日: 2018-07-03
发明(设计)人: 祖小涛;黎波;向霞;田成祥 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C03C15/00 分类号: C03C15/00;C03C21/00
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人: 何凡
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于惰性离子注入法提升熔石英损伤阈值的方法,具体操作流程为:用去离子水冲洗光学抛光后的熔石英元件,然后将元件放入无水乙醇中进行超声清洗;元件清洗完成后,用HF‑NH4F缓冲溶液对其进行刻蚀处理,再先后用去离子水和无水乙醇清洗刻蚀后的元件;最后用能量为10keV~50keV的含能惰性离子束对元件进行离子注入处理,注量为1×1016ions/cm2~5×1017ions/cm2。采用本发明的方法,可有效解决常规方法很难在熔石英表面形成压应力层的技术问题,以进一步提升元件的激光损伤阈值。
搜索关键词: 熔石英 惰性离子 去离子水 注入法 刻蚀 损伤 无水乙醇清洗 惰性离子束 表面形成 操作流程 超声清洗 光学抛光 缓冲溶液 激光损伤 提升元件 无水乙醇 压应力层 有效解决 放入 冲洗 离子 清洗
【主权项】:
1.一种基于惰性离子注入法提升熔石英损伤阈值的方法,其特征是,包括以下步骤:(1)元件前处理:将熔石英元件超声清洗后,放入HF‑NH4F缓冲溶液中进行刻蚀处理,刻蚀时间5~15min;(2)二次清洗:先用去离子水清洗刻蚀后的熔石英元件,再将其放入无水乙醇中进行脱水处理;(3)惰性离子注入:用含能惰性离子束对经过步骤(2)处理后的熔石英元件进行离子注入;离子注入能量为10keV~50keV,注量为1×1016ions/cm2~5×1017ions/cm2。
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