[发明专利]液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810075191.6 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108329033A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 田贵山;李双 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/64;C04B38/06;C04B35/622;C04B35/636;C04B35/634;B01D67/00;B01D69/10;B01D71/02 |
| 代理公司： | 北京迎硕知识产权代理事务所(普通合伙) 11512 | 代理人： | 张群峰 |
| 地址： | 255086 山东省淄*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：支撑体的制备、过渡层的制备、以及表面膜层的制备，其中，所述支撑体的原料中含有高岭土和滑石，所述过渡层的原料中含有高岭土。根据本发明的制备方法，支撑体及过渡层利用液相烧结有效地降低了烧结温度，而表面膜层通过使用微细的碳化硅粉，在保证分离膜亲水性的同时也有效降低了烧结温度。根据本发明获得的多通道碳化硅陶瓷膜元件，碳化硅陶瓷膜与水的润湿角仅为0.3°，抗弯强度大于100MPa；所制备的陶瓷膜元件孔隙率在35％～45％之间，可在pH＝0～14的酸碱环境中应用，耐受各种溶剂和各种浓度氧化剂；使用温度可以达到800～1000℃。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 碳化硅陶瓷膜 液相烧结 多通道 过渡层 支撑体 高岭土 表面膜层 烧结 氧化剂 滑石 陶瓷膜元件 酸碱环境 碳化硅粉 微细 分离膜 孔隙率 亲水性 润湿角 有效地 抗弯 耐受 溶剂 应用 保证 | ||
【主权项】：
1.一种液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，支撑体的制备，按照质量比100:(5～10)：(3～5):(5～15)：(5～10)称取碳化硅粉Ⅰ、高岭土、滑石、造孔剂和第一结合剂，与水配置成泥料并成型，经过烧结得到多通道碳化硅陶瓷膜支撑体，步骤2，过渡层的制备，按照质量比100：(10～20)：(10～20)：(3～5)称取碳化硅粉Ⅱ、高岭土、第二结合剂和第一分散剂，与水混合得到过渡层浆料，使所述过渡层浆料流过所述步骤1得到的多通道碳化硅陶瓷膜支撑体，以在所述支撑体的内孔表面形成被覆层，此后进行烧结以在所述支撑体的内孔表面形成过渡层，步骤3，表面膜层的制备，按照质量比100：(15～25)：(5～10)称取碳化硅粉Ⅲ、第三结合剂和第二分散剂，与水混合得到涂膜液，使所述涂膜液被覆在所述过渡层上，此后进行烧结以在所述过渡层上形成表面膜层，其中，所述碳化硅粉Ⅰ的平均粒径＞所述碳化硅粉Ⅱ的平均粒径＞所述碳化硅粉Ⅲ的平均粒径，且所述支撑体的烧结温度、所述过渡层的烧结温度、所述表面膜层的烧结温度的任一项为1500℃以下。
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