[发明专利]抑制光电子发射的结构设计方法在审
| 申请号： | 201810075738.2 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108257703A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王艳;曾超;周开明 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G21F1/12 | 分类号： | G21F1/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制光电子发射的结构设计方法，在原有结构件的表面涂覆低原子序数材料层。本发明指在原有结构件的表面上镀膜一定厚度的低原子序数材料来抑制光电子发射的结构设计方法，该方法能够非常有效的抑制X射线辐照系统/系统内设备结构件时在其表面发射的光电子数量，从而大幅度降低X射线在系统/设备内部产生的SGEMP危害。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子发射 低原子序数材料 结构件 表面发射 表面涂覆 辐照系统 设备结构 设备内部 光电子 镀膜 | ||
【主权项】：
1.一种抑制光电子发射的结构设计方法，其特征在于：在原结构件的表面涂覆低原子序数材料层。
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