[发明专利]半导体存储装置

摘要

实施方式提供一种存储单元晶体管的集成度较高且配线层的电阻值较低的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第一及第二绝缘板；积层体，设置在第一绝缘板与第二绝缘板之间，且为绝缘层与配线层交替积层而成；及半导体部件。配线层具有：第一配线部，与第一绝缘板相接；第二配线部，与第二绝缘板相接；第三配线部；第四配线部；以及第五配线部及第六配线部，与第一绝缘板及第二绝缘板相隔，在与第一绝缘板及第二绝缘板相同的方向延伸。第五配线部经由第三配线部而与第一配线部连接，且与第二配线部绝缘。第六配线部经由第四配线部而与第二配线部连接，且与第一配线部绝缘。半导体部件配置在第五配线部与第六配线部之间。

主权项

1.一种半导体存储装置，具备：第一绝缘板及第二绝缘板，沿包含第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向的平面扩展，且在与所述平面交叉的第三方向相互相隔；积层体，设置在所述第一绝缘板与所述第二绝缘板之间，多个绝缘层与多个配线层沿所述第一方向交替积层；绝缘部件，设置在所述积层体内，且在所述第一方向贯通所述积层体；半导体部件，设置在所述积层体内，且在所述第一方向延伸；及电荷储存部件，设置在所述配线层与所述半导体部件之间；且各所述配线层具有：第一配线部，与所述第一绝缘板相接，且在所述第二方向延伸；第二配线部，与所述第二绝缘板相接，且在所述第二方向延伸；第三配线部，与所述第一配线部相接；第四配线部，与所述第二配线部相接；第五配线部，与所述第一绝缘板及所述第二绝缘板相隔，在所述第二方向延伸，经由所述第三配线部而与所述第一配线部连接，且通过所述绝缘部件与所述第二配线部绝缘；及第六配线部，与所述第一绝缘板及所述第二绝缘板相隔，在所述第二方向延伸，经由所述第四配线部而与所述第二配线部连接，且通过所述绝缘部件与所述第一配线部绝缘；且所述半导体部件配置在所述第五配线部与所述第六配线部之间。