[发明专利]磁阻式随机存取存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201810076594.2 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN110085737B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 林宏展;王裕平;陈宏岳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存取存储器包含一导电插塞位于基底内，其中该导电插塞的上缘一侧具有向外延伸的凸出部位，该上缘的另一侧具有向内凹入的凹陷部位；以及一存储单元，其包含一下电极与该导电插塞电连接、一磁隧穿接面位于该下电极上、以及一上电极位于该磁隧穿接面上，其中该存储单元的底面与该导电插塞的顶面完全重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻式随机存取存储器，其特征在于，包含：基底；导电插塞，位于该基底内，其中该导电插塞的上缘的一侧具有向外延伸的凸出部位，该上缘的另一侧具有向内凹入的凹陷部位；以及磁性存储单元，包含下电极与该导电插塞电连接、磁隧穿接面位于该下电极上、以及上电极位于该磁隧穿接面上，其中该磁性存储单元的底面与该导电插塞的顶面完全重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810076594.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
