[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201810076648.5 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN109493895B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 洪志满 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C16/08;G11C16/34;G06F11/14 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;赵赫 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储器装置及其操作方法。操作半导体存储器装置的方法可包括：确定联接到过度编程的存储器单元的目标字线；将存储在联接到目标字线的存储器单元中的数据备份到第二存储区域中，其中第二存储区域不同于其中设置有联接到目标字线的存储器单元的第一存储区域；以及当对联接到目标字线的存储块中的所选择的存储器单元执行读取操作时，将升高的读取通过电压施加到目标字线，其中所选择的存储器单元不同于过度编程的存储器单元。因此，可提高半导体存储器装置的操作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作半导体存储器装置的方法，所述方法包括：确定联接到过度编程的存储器单元的目标字线；将存储在联接到所述目标字线的存储器单元中的数据备份到第二存储区域中，所述第二存储区域不同于其中设置有联接到所述目标字线的所述存储器单元的第一存储区域；以及当对联接到所述目标字线的存储块中的所选择的存储器单元执行读取操作时，将升高的读取通过电压施加到所述目标字线，所选择的存储器单元不同于所述过度编程的存储器单元。
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