[发明专利]一种提高膜基结合力制备表面增强拉曼基底的方法有效
| 申请号： | 201810077316.9 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108330441B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张政军;马菱薇 | 申请（专利权）人： | 广西三环高科拉曼芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/30;C23C16/40;C23C28/00;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 邸更岩 |
| 地址： | 537400 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 一种提高膜基结合力制备表面增强拉曼基底的方法，该方法首先在衬底基片上生长平整的过渡层，再在过渡层上生长银纳米棒阵列薄膜，之后在银表面均匀覆盖一层超薄的氧化物膜，最后加热上述复合纳米结构，获得具有优异膜基结合力的表面增强拉曼基底。过渡层缓解了贵金属薄膜和衬底间的不匹配因素，调节了整个膜基范围内的应力分布和原子键合。银纳米棒表面超薄的氧化层保证基底具有良好的SERS灵敏性和热稳定性。因此可以进一步加热基底，促进薄膜与衬底间原子的扩散，减少界面孔隙，提高附着力。具有优异膜基结合力的表面增强拉曼基底不易脱落，稳定性好，便于运输、储存和使用，从而使表面增强拉曼技术的实用性增强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 结合 制备 表面 增强 基底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高膜基结合力制备表面增强拉曼基底的方法，其特征在于该方法包括如下步骤：1)利用倾斜角度沉积方法，在衬底基片上首先沉积一层平整的过渡层薄膜，然后在过渡层薄膜上再生长一层银纳米棒阵列薄膜；2)利用低温原子层沉积方法在银纳米棒阵列薄膜表面均匀覆盖一层超薄的氧化物薄膜，形成氧化物包覆的复合纳米结构；3)将复合纳米结构在温度为150～300℃的条件下进行加热，即可得到具有优异膜基结合力的表面增强拉曼基底。
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