[发明专利]栅极介电材料的形成方法在审
| 申请号： | 201810077949.X | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN109427587A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔;李承翰;潘正扬;张世杰;王俊杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 栅极介电材料的形成方法包括：形成高介电常数的介电材料于基板上的第一区中，其中形成高介电常数的介电材料的步骤包括：形成第一介电层于基板上，且第一介电层包括铪；以及形成第二介电层于第一介电层上，且第二介电层包括镧。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 栅极介电材料 高介电常数 介电材料 基板 第一区 | ||
【主权项】：
1.一种栅极介电材料的形成方法，包括：形成一高介电常数的介电材料于一基板上的一第一区中，其中形成该高介电常数的介电材料的步骤包括：形成一第一介电层于该基板上，且该第一介电层包括铪；以及形成一第二介电层于该第一介电层上，且该第二介电层包括镧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
