[发明专利]铜基石墨烯复合材料的制备方法和铜基石墨烯复合材料在审
申请号: | 201810078142.8 | 申请日: | 2018-01-26 |
公开(公告)号: | CN110079785A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 章潇慧;熊定邦;曹沐;陈朝中;张丽娇;张荻 | 申请(专利权)人: | 中车工业研究院有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/56;C23C16/02;C23C28/00;C25F3/22 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 100070 北京市丰台区南*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请提供的铜基石墨烯复合材料的制备方法,包括:采用电化学抛光工艺对原始板状铜基底进行预处理,得到预处理后的铜基底,其中,上述原始板状铜基底的厚度为5μm~25μm;采用化学气相沉积工艺在预处理后的铜基底的上下表面生长石墨烯,得到石墨烯包覆铜基底;对至少一片石墨烯包覆铜基底进行热压烧结处理,得到铜基石墨烯复合材料,上述铜基石墨烯复合材料为由石墨烯和铜基底交替复合形成的层状复合材料,铜基底在所述铜基石墨烯复合材料的厚度方向上呈单晶态,且呈(111)晶面择优取向。本申请提供的铜基石墨烯复合材料的制备方法,可制备出电导率较高的铜基石墨烯复合材料。 | ||
搜索关键词: | 铜基 石墨烯复合材料 石墨烯 预处理 制备 板状 包覆 电化学抛光工艺 层状复合材料 化学气相沉积 电导率 交替复合 热压烧结 上下表面 择优取向 单晶态 晶面 申请 生长 | ||
【主权项】:
1.一种铜基石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括:采用电化学抛光工艺对原始板状铜基底进行预处理,得到预处理后的铜基底,其中,所述原始板状铜基底的厚度为5μm~25μm;采用化学气相沉积工艺在所述预处理后的铜基底的上下表面生长石墨烯,得到石墨烯包覆铜基底;对至少一片所述石墨烯包覆铜基底进行热压烧结处理,得到铜基石墨烯复合材料;其中,所述铜基石墨烯复合材料为由石墨烯和铜基底交替复合形成的层状复合材料,铜基底在所述层状复合材料的厚度方向上呈单晶态,且呈(111)晶面择优取向。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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