[发明专利]可变电阻存储器件有效
| 申请号： | 201810078207.9 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108110027B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 朴南均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 毋二省;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种可变电阻存储器件包括：多个列选择开关；多个可变电阻存储器单元，所述多个可变电阻存储器单元被配置成层叠并且通过多个列选择开关来选择；以及位线，所述位线与多个可变电阻存储器单元连接。多个可变电阻存储器单元中的每个包括双向阈值开关OTS元件以及与OTS元件并联连接的可变电阻器，所述OTS元件通过被布置成层叠的多个字线选择性地驱动。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：层叠的多个栅结构，其间插入有绝缘层；栅绝缘层，栅绝缘层形成在所述多个栅结构的侧壁上；双向阈值开关材料层，双向阈值开关材料层形成在所述栅绝缘层的表面上；以及电阻层，所述电阻层形成在双向阈值开关材料层的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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