[发明专利]用于硅叠层太阳能电池的磷硅锌晶体的异质外延生长方法有效
| 申请号： | 201810078302.9 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108277532B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 张国栋;陶绪堂;张龙振;张鹏 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B19/02;C30B19/10 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于硅叠层太阳能电池的磷硅锌晶体的异质外延生长方法。该方法包括：在炉室内的生长坩埚内，在单晶硅衬底上的磷、硅、锌单质原料及助熔剂熔化，通过控制溶液的浓度和降温速率实现磷硅锌晶体在硅片上的外延生长。本发明可在硅片上直接外延生长出大面积的结晶取向一致的磷硅锌晶体。本方法具有容易形成晶核，在生长过程中易维持平界面生长的特点。所生长的磷硅锌薄膜可用于工业化制备硅叠层太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 磷硅 太阳能电池 硅叠层 异质外延生长 外延生长 晶体的 硅片 熔化 单晶硅 结晶取向 生长过程 生长坩埚 平界面 锌薄膜 锌单质 助熔剂 生长 衬底 晶核 可用 制备 室内 | ||
【主权项】：
1.一种用于硅叠层太阳能电池的磷硅锌晶体的异质外延生长方法，包括：‑ 在布置在炉室内的生长坩埚内，提供单晶硅衬底和位于所述单晶硅衬底上的磷、硅、锌单质原料及助熔剂；所述生长坩埚限定生长环境；‑ 炉内抽真空后，通入氩气；采用分段升温方式，第一阶段使坩埚的温度先升至600‑800℃并保温20～25h，第二阶段再升至1000～1200℃并保温20～35h，使磷、硅、锌单质原料溶解在助熔剂中并反应生成ZnSiP2； ‑ 以不高于5.5℃/h的降温速率缓慢降温至600‑700℃，在单晶硅衬底上进行磷硅锌液相外延生长；然后自然降温至室温，得到生长在单晶硅衬底上的磷硅锌晶体薄膜或层；所得产品用于制备硅叠层太阳能电池。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810078302.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锗单晶的生长方法
- 下一篇：一种152型碱式硫酸镁晶须的制备方法
