[发明专利]一种提高溶液法氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法在审
| 申请号： | 201810078353.1 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108346703A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;周尚雄;姚日晖;蔡炜;陶瑞强;陈建秋;朱镇南;魏靖林;刘贤哲;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/445 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜晶体管的技术领域，公开了一种提高溶液法氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法。方法为：在旋涂制备薄膜晶体管的绝缘层时，将低浓度的金属氧化物绝缘层前驱体溶液进行多次旋涂，每一次旋涂完后进行退火处理，得到金属氧化物绝缘层薄膜，薄膜晶体管以该薄膜作为绝缘层；所述金属氧化物绝缘层前驱体溶液的浓度为0～0.3mol/L且不为0。本发明的方法能够减少薄膜晶体管中绝缘层内部的缺陷，提高薄膜晶体管的偏压稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 绝缘层 金属氧化物绝缘层 旋涂 氧化物绝缘层 前驱体溶液 溶液法 薄膜 退火处理 制备 | ||
【主权项】：
1.一种提高溶液法制备的氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法，其特征在于：在旋涂制备薄膜晶体管的绝缘层时，将低浓度的金属氧化物绝缘层前驱体溶液进行多次旋涂，每一次旋涂完后进行退火处理，得到金属氧化物绝缘层薄膜，薄膜晶体管以该薄膜作为绝缘层；所述金属氧化物绝缘层前驱体溶液的浓度为0～0.3mol/L且不为0。
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